Ваша заявка принята!
Объём памяти: 2 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 Напряжение питания: 1.35 В
Серия продукции Radeon R5 Entertainment Тип памяти Unbuffered Форм-фактор SODIMM Стандарт памяти DDR3 Объем одного модуля 4, ГБ Количество модулей в комплекте 1, шт Суммарный объем 4, ГБ Эффективная частота 1600, МГц Пропускная способность 12800, Мб/с Поддержка ECC Нет Низкопрофильная Нет Количество чипов на модуле 8, шт Количество контактов 204
1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3L SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-28 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC12800
Тип DDR3 Объем одного модуля 2 ГБ Тактовая частота 1600 МГц Форм-фактор SODIMM Количество модулей в комплекте 1 шт. CL 11 Особенности Unregistered
Тип модуля DIMM Частота MHz DDR3 - 1600 Пропускная способность МБ/с 12800 Количество контактов 240
1 модуль памяти DDR4 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM, 288-контактный частота 2400 МГц радиатор CAS Latency (CL): 16
1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR4 DIMM 288-pin тактовая частота: 3200 МГц тайминги: 16-18-18-39 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC25600 радиатор: да
Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 Напряжение питания: 1.38 В
Тип оперативной памяти DDR3 Частота функционирования, МГц 1600 Пропускная способность, Мб/сек. 12800 Объём, Мб 4096 Количество контактов 204 Форм-фактор оперативной памяти SO-DIMM Напряжение, В 1.5
Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 Напряжение питания: 1.5 В
Объём памяти: 8 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 Напряжение питания: 1.5 В