Оперативная память
AMD 2Gb DDR-III 1600MHz (R532G1601U1S-UO)
Объём памяти: 2 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 Напряжение питания: 1.5 В
Indilinx SODIMM 4GB DDR3-1600 (IND-ID3N16SP04X)
Тип оперативной памяти DDR3 Общий объём памяти 4Гб Объем модуля памяти 4Гб Количество 1 Частота работы оперативной памяти 1600 МГц Форм-фактор модуля 204-pin SO DIMM Множитель частоты шины 11 Напряжение питания 1.5 В
Kingston 2048Mb 1шт. (KVR16LS11S6/2)
1 модуль объем памяти: 2 ГБ тип: DDR3L SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC12800
Indilinx DIMM 4GB DDR3-1600 (IND-ID3P16SP04X)
Тип оперативной памяти DDR3 Общий объём памяти 4Гб Объем модуля памяти 4Гб Количество 1 Частота работы оперативной памяти 1600 МГц Форм-фактор модуля 288-pin UDIMM Множитель частоты шины 11 Напряжение питания 1.5 В
Netac SO-DIMM 4Gb 1шт. (NTBSD3N16SP-04)
1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3L SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-28 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC12800
Netac 4Gb 1шт. (NTBSD3P16SP-04)
1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-28 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800 низкопрофильная (Low Profile): да
Digma DDR3L - 4ГБ 1600, DIMM, Ret (DGMAD31600004S)
Объем: 4096 МБ; Частота: 1600МГц; Латентность: CL11; Тайминги: 11-11-11-28; Форм-фактор: DIMM, 240-pin; Тип поставки: Ret
AGI 4Gb DDR-III 1600MHz (AGI160004UD128)
Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 Напряжение питания: 1.38 В
AGI 4Gb DDR-III 1600MHz (AGI160004SD128)
Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 Напряжение питания: 1.38 В
Digma4Gb DDR-III 1600MHz SO-DIMM (DGMAS31600004D)
Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 Напряжение питания: 1.5 В
Ramaxel so-dimm DDR3L 12800S 2GB (RMT3190ME76F8F-1600)
Обьем памяти: 2GB Тип памяти: DDR3L Форм-фактор: SODIMM Эффективная частота МГц: 1600 Пропускная способность Мб/с: 12800 Тайминги CL - tRCD - tRP: 11-11-11 Напряжение питания: 1.35V
AMD Radeon R5 Entertainment Series 4GB DDR3 1600 SO DIMM (R534G1601S1S-U)
Серия продукции Radeon R5 Entertainment Тип памяти Unbuffered Форм-фактор SODIMM Стандарт памяти DDR3 Объем одного модуля 4, ГБ Количество модулей в комплекте 1, шт Суммарный объем 4, ГБ Эффективная частота 1600, МГц Пропускная способность 12800, Мб/с Поддержка ECC Нет Низкопрофильная Нет Количество чипов на модуле 8, шт Количество контактов 204