Обратный звонок

Вы можете оставить свою заявку на обратный звонок и мы вам перезвоним в течение дня.

Обратный звонок

Ваша заявка принята!

Товары к сравнению - [ 0 ]

+7 (495) 104-41-51

Оперативная память

Количество:
Производитель:
Выбрать по цене: от р. До р.
[код: 107792]
AFOX 2 ГБ DDR2 800 МГц DIMM CL15 (AFLD22ZM1P)

Объем памяти 2 ГБ Тип DDR2 DIMM 240-pin Тактовая частота 800 МГц Тайминги 15-15-15 Напряжение питания 1.8 В Пропускная способность PC6400

550 р.
б/н расчет: 616 р.
Подробнее
[код: 56748]
AMD OEM 2Gb (R532G1601U1SL-UO)

2 Гб, DDR-3, 12800 Мб/с, CL11-11-11-28, 1.35 В, радиатор

570 р.
б/н расчет: 638 р.
Подробнее
[код: 107798]
AMD 2Gb DDR-III 1333MHz (R332G1339U1S-UO)

Объём памяти: 2 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 10600 Мб/с CAS Latency (CL): 9 RAS to CAS Delay (tRCD): 9 Row Precharge Delay (tRP): 9 Activate to Precharge Delay (tRAS): 24 Напряжение питания: 1.5 В

570 р.
б/н расчет: 638 р.
Подробнее
[код: 56750]
AMD 2Gb (R532G1601U1SL-U)

2 Гб, DDR-3, 12800 Мб/с, CL11-11-11-28, 1.35 В

580 р.
б/н расчет: 650 р.
Подробнее
[код: 84737]
Netac 4Gb 1шт. (NTBSD3P16SP-04)

1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-28 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800 низкопрофильная (Low Profile): да

580 р.
б/н расчет: 650 р.
Подробнее
[код: 110434]
AMD 2 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 (R532G1601S1S-U)

Объем памяти 2 ГБ по 2 ГБ) Тип DDR3 SODIMM 204-pin Тактовая частота 1600 МГц Тайминги 11-11-11-28 Напряжение питания 1.5 В Пропускная способность PC12800

660 р.
б/н расчет: 739 р.
Подробнее
[код: 104952]
QUMO DDR3 SODIMM 2GB (QUM3S-2G1600T11L)

Форм-фактор: SO-DIMM Тип памяти: DDR3 Частота, мегагерц: 1600 Общий объем, гигабайт: 2 Количество модулей в комплекте: 1 Объем одного модуля, гигабайт: 2 CAS Latency (CL): 11

690 р.
б/н расчет: 773 р.
Подробнее
[код: 110472]
OCPC V-SERIES 4Gb DDR-III 1600MHz (MMV4GD316C11U)

Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 Напряжение питания: 1.2 В

690 р.
б/н расчет: 773 р.
Подробнее
[код: 74518]
Hikvision HKED3041AAA2A0ZA1/4G 4Gb 1шт. (HKED3041AAA2A0ZA1/4G)

1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11

700 р.
б/н расчет: 784 р.
Подробнее
[код: 84732]
Netac SO-DIMM 4Gb 1шт. (NTBSD3N16SP-04)

1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3L SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-28 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC12800

700 р.
б/н расчет: 784 р.
Подробнее
[код: 108048]
Qumo DDR3 DIMM 2GB (PC3-12800) 1600MHz (QUM3U-2G1600T11L)

DDR3 DIMM 2GB (PC3-12800) 1600MHz 1.35V

700 р.
б/н расчет: 784 р.
Подробнее
[код: 106449]
KingSpec 4Gb DDR-III 1600MHz (KS1600D3P13504G)

Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 Напряжение питания: 1.35 В

730 р.
б/н расчет: 818 р.
Подробнее
Быстрый поиск
Тип устройства
компьютер
ноутбук
Тип памяти
DDR3
DDR4
DDR5
Количество модулей
1
2
3
4
Тактовая частота
1300 МГц
1333 МГц
1600 МГц
1666 МГц
1866 МГц
2133 МГц
2400 МГц
2666 МГц
2800 МГц
2933 МГц
3000 МГц
3200 МГц
3600 МГц
4400 МГц
4800 МГц
Объем памяти
2 Гб
4 Гб
8 Гб
16 Гб
32 Гб
64 Гб

Copyright MAXXmarketing Webdesigner GmbH
MOBICOM © 2015 - 2022