Оперативная память
AMD OEM 2Gb (R532G1601U1SL-UO)
2 Гб, DDR-3, 12800 Мб/с, CL11-11-11-28, 1.35 В, радиатор
AMD 2Gb DDR-III 1333MHz (R332G1339U1S-UO)
Объём памяти: 2 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 10600 Мб/с CAS Latency (CL): 9 RAS to CAS Delay (tRCD): 9 Row Precharge Delay (tRP): 9 Activate to Precharge Delay (tRAS): 24 Напряжение питания: 1.5 В
QUMO DDR3 SODIMM 2GB (QUM3S-2G1600T11L)
Форм-фактор: SO-DIMM Тип памяти: DDR3 Частота, мегагерц: 1600 Общий объем, гигабайт: 2 Количество модулей в комплекте: 1 Объем одного модуля, гигабайт: 2 CAS Latency (CL): 11
KingSpec DDR3 4Gb 1600MHz (KS1600D3N13504G)
Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 Напряжение питания: 1.35 В
AMD 2 ГБ DDR3 1600 МГц SODIMM CL11 (R532G1601S1S-U)
Объем памяти 2 ГБ по 2 ГБ) Тип DDR3 SODIMM 204-pin Тактовая частота 1600 МГц Тайминги 11-11-11-28 Напряжение питания 1.5 В Пропускная способность PC12800
Apacer 4Gb 1 шт. (AS04GFA60CATBGC)
1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM частота 1600 МГц 1.5 В
Netac SO-DIMM 4Gb 1шт. (NTBSD3N16SP-04)
1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3L SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-28 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC12800
AMD R534G1601U1SL-U 4GB 1шт. (R534G1601U1SL-U)
1 модуль памяти DDR3 объем памяти: 4 ГБ тип: DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC12800
OCPC 4Gb DDR-III 1600MHz V-SERIES SO-DIMM (MMV4GD316C11S)
Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 Напряжение питания: 1.2 В
