Объем памяти 2 ГБ Тип DDR2 DIMM 240-pin Тактовая частота 800 МГц Тайминги 15-15-15 Напряжение питания 1.8 В Пропускная способность PC6400

2 Гб, DDR-3, 12800 Мб/с, CL11-11-11-28, 1.35 В, радиатор

Объём памяти: 2 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 10600 Мб/с CAS Latency (CL): 9 RAS to CAS Delay (tRCD): 9 Row Precharge Delay (tRP): 9 Activate to Precharge Delay (tRAS): 24 Напряжение питания: 1.5 В

2 Гб, DDR-3, 12800 Мб/с, CL11-11-11-28, 1.35 В

1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-28 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800 низкопрофильная (Low Profile): да

Объем памяти 2 ГБ по 2 ГБ) Тип DDR3 SODIMM 204-pin Тактовая частота 1600 МГц Тайминги 11-11-11-28 Напряжение питания 1.5 В Пропускная способность PC12800

Форм-фактор: SO-DIMM Тип памяти: DDR3 Частота, мегагерц: 1600 Общий объем, гигабайт: 2 Количество модулей в комплекте: 1 Объем одного модуля, гигабайт: 2 CAS Latency (CL): 11

Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 Напряжение питания: 1.2 В

1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 ГБ форм-фактор DIMM частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11

1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3L SODIMM 204-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-28 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC12800

DDR3 DIMM 2GB (PC3-12800) 1600MHz 1.35V

Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 Напряжение питания: 1.35 В