Оперативная память
Digma DDR3L - 4ГБ 1600, DIMM, Ret (DGMAD31600004S)
Объем: 4096 МБ; Частота: 1600МГц; Латентность: CL11; Тайминги: 11-11-11-28; Форм-фактор: DIMM, 240-pin; Тип поставки: Ret
KingSpec 4Gb DDR-III 1600MHz (KS1600D3P13504G)
Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 Напряжение питания: 1.35 В
AMD OEM 2Gb (R532G1601U1SL-UO)
2 Гб, DDR-3, 12800 Мб/с, CL11-11-11-28, 1.35 В, радиатор
AMD SO-DIMM 2Gb DDR-III 1600MHz (R532G1601S1SL-UO)
Объём памяти: 2 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 Напряжение питания: 1.35 В
AMD 2Gb DDR-III 1600MHz (R532G1601U1S-UO)
Объём памяти: 2 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 Напряжение питания: 1.5 В
AMD Radeon R3 Value Series 2GB DDR3 1333 DIMM (R332G1339U1S-UO)
Серия продукции Radeon R3 Value Тип памяти Unbuffered Форм-фактор DIMM Стандарт памяти DDR3 Объем одного модуля 2, ГБ Количество модулей в комплекте 1, шт Суммарный объем 2, ГБ Эффективная частота 1333, МГц Пропускная способность 10600, Мб/с Поддержка ECC Нет Низкопрофильная Нет Количество чипов на модуле 8, шт Количество контактов 240
Hikvision 4Gb DDR-III 1600MHz (HKED3042AAA2A0ZA1/4G)
Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 Напряжение питания: 1.35 В
Netac 4Gb 1шт. (NTBSD3P16SP-04)
1 модуль объем памяти: 4 ГБ тип: DDR3 DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11-11-11-28 напряжение питания: 1.5 В пропускная способность: PC12800 низкопрофильная (Low Profile): да
AMD SO-DIMM 2Gb DDR-III 1333MHz (R332G1339S1S-UO)
Объём памяти: 2 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 10600 Мб/с CAS Latency (CL): 9 RAS to CAS Delay (tRCD): 9 Row Precharge Delay (tRP): 9 Activate to Precharge Delay (tRAS): 24 Напряжение питания: 1.5 В
AMD 2Gb DDR-III 1600MHz (R532G1601U1S-U)
Объём памяти: 2 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 RAS to CAS Delay (tRCD): 11 Row Precharge Delay (tRP): 11 Activate to Precharge Delay (tRAS): 28 Напряжение питания: 1.5 В
AGI 4Gb DDR-III 1600MHz (AGI160004UD128)
Объём памяти: 4 Гб Тип памяти: DDR3 Пропускная способность: 12800 Мб/с CAS Latency (CL): 11 Напряжение питания: 1.38 В