1 модуль памяти DDR объем модуля 1 ГБ форм-фактор DIMM, 184-контактный частота 400 МГц CAS Latency (CL): 3

2 Гб, DDR-3, 12800 Мб/с, CL11-11-11-28, 1.35 В, радиатор

1 модуль памяти DDR2 объем модуля 2 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 800 МГц CAS Latency (CL): 6

1 модуль памяти DDR3L объем модуля 2 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11

1 модуль памяти DDR3 объем модуля 2 ГБ форм-фактор DIMM частота1600 МГц

1 модуль памяти DDR2 объем модуля 2 ГБ форм-фактор SODIMM, 200-контактный частота 800 МГц CAS Latency (CL): 6

1 модуль объем памяти: 2 ГБ тип: DDR3L DIMM 240-pin тактовая частота: 1600 МГц тайминги: 11 напряжение питания: 1.35 В пропускная способность: PC12800

4 Гб, DDR-4, 21300 Мб/с, 1.2 В

1 модуль памяти DDR2 объем модуля 2 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 800 МГц CAS Latency (CL): 5

2 Гб, DDR-3, 12800 Мб/с, CL11-11-11-28, 1.5 В

Гб, DDR-2, 6400 Мб/с, CL6, 1.8 В

1 модуль памяти DDR2 объем модуля 1 ГБ форм-фактор DIMM, 240-контактный частота 800 МГц CAS Latency (CL): 5